Российские ученые создали уникальный магнит с изменяемой структурой

4 мар. 2019 г. в 18:52
962
 
Российские ученые создали уникальный магнит с изменяемой структурой

Химики Московского государственного университета имени М.В. Ломоносова вместе с учеными из США, Германии и Эстонии создали магнитный материал с новыми свойствами, которые открывают новые возможности для научных и прикладных работ, - сообщила пресс-служба МГУ.

"Уникальность этого материала в том, что при изменении температур меняется его структура - не атомная, а магнитная структура, причем, неоднократно, чего раньше мы не наблюдали. В будущем магнитные материалы с этими свойствами могут быть полезны при создании магнитных переключателей, способных при относительно высоких температурах чутко реагировать на изменение магнитного поля, а при самых низких температурах управлять завихрениями тока в сверхпроводниках", - пояснил руководитель научной группы, заведующий кафедрой неорганической химии химического факультета МГУ Андрей Шевельков, передает ТАСС.

Образцы материала оказались антиферромагнетиками - веществами, в которых магнитные моменты соседних атомов (ионов) взаимно компенсируются, так что полный магнитный момент (намагниченность) тела близок к нулю. Однако температура магнитного упорядочения, при которой вещества переходят в антиферромагнитное состояние, оказалась значительно ниже теоретической, что показывает сильную несогласованность магнитных взаимодействий в структуре соединения, сообщили в пресс-службе МГУ.

При низких температурах намагниченность у образцов возрастала с уменьшением температуры, что также не характерно для антиферромагнетиков.

Синтезированные учеными из порошков железа, германия, фосфора и мышьяка магнитные соединения были построены по принципу кристаллографического срастания - на атомном уровне структура строилась из связанных и упорядоченно чередующихся блоков разных типов структур.

Напмоним, магнитные материалы широко используются в электронике в качестве основы для жестких дисков, и соединения, обладающие сложной магнитной структурой, более перспективны для получения новых запоминающих устройств с большей плотностью записи и скоростью работы.